首頁(yè)晶振行業(yè)動(dòng)態(tài) 石英晶振參數(shù)相關(guān)資料
石英晶振參數(shù)相關(guān)資料
來(lái)源：http://www.sdyoujian.cn 作者：yijindz 2013年08月15
存在我們周?chē)乃挟a(chǎn)品也都有它們各自的屬性和用途,有些簡(jiǎn)單易懂的小東西可以快速被我們記住和利用以至于實(shí)現(xiàn)自身價(jià)值,而有些復(fù)雜的東西則不然我們需要一定時(shí)間去了解才能琢磨透,記得以前聽(tīng)過(guò)演說(shuō)家講的一堂記憶連鎖法,就是把復(fù)雜的東西簡(jiǎn)單化把它想成是很有趣的東西,讀書(shū)時(shí)的英語(yǔ)單詞特別長(zhǎng)又難記估計(jì)大家都有過(guò)把它寫(xiě)成相近口音的中文,比如because通常我們會(huì)寫(xiě)中文"筆殼子" I love you這個(gè)詞相信大家都不陌生"愛(ài)老虎油"等等很多.題外話就寫(xiě)到這還是說(shuō)說(shuō)我們的正題吧.億金電子是一家電子元器件專業(yè)晶振供應(yīng)商生產(chǎn)銷(xiāo)售一體化,提供高小型,低耗電,高穩(wěn)定,高精度石英晶振,億金作為一個(gè)專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商對(duì)于產(chǎn)品有自己的獨(dú)特見(jiàn)解,下面例舉一些重要參數(shù)我們要了解:石英晶體的基本參數(shù),石英晶體的電性參數(shù),石英晶體的測(cè)試參數(shù).
(1) 晶振的標(biāo)稱頻率與允許誤差關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別
使用正確的振蕩線路匹配下,從整個(gè)振蕩線路輸出的頻率,稱之為"標(biāo)稱頻率(nominal frequency". 標(biāo)稱頻率單位一般是以兆赫( megahertz, MHz) 或 仟赫(Kilohertz, KHz)表示.在實(shí)際的批量生產(chǎn)及振蕩線路應(yīng)用上, 產(chǎn)品在室溫環(huán)境(25oC)中都會(huì)有一些相對(duì)于標(biāo)稱頻率的頻率散布允許頻率的偏差. 這類型的頻率允許偏差的最大允許值,一般是以ppm ( parts per million )或%( percent ) 來(lái)表示.
(2) 晶振的負(fù)載電容 ( Load Capacitance, CL )
在大多數(shù)的情況下振蕩線路上的”負(fù)載電容(load capacitance)’定義為:從石英晶振的兩個(gè)端子看向振蕩線路所遭遇到的所有電容值.負(fù)載電容在線路上可以與石英晶振以并聯(lián)(parallel)或以串聯(lián)(series)的方示連接. 以并聯(lián)方式連接的振蕩線路中, 負(fù)載電容(CL)的大小會(huì)影響標(biāo)稱頻率的特性.這種負(fù)載電容并聯(lián)線路的共振頻率以fL表示
(3)晶振的頻率與溫度穩(wěn)定性關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Frequency-Temperature Stability )
石英晶振的頻率因溫度變化而改變, 這是因起于石英晶振的材料在各個(gè)坐標(biāo)軸向的熱膨脹系數(shù)不同, 當(dāng)溫度變化時(shí),各軸向晶格距產(chǎn)生些許變化.當(dāng)引用不同的切割角度時(shí),不同振蕩模態(tài)的之變化也會(huì)不同.晶振頻率的偏差對(duì)溫度穩(wěn)定性的特性, 亦如同公稱頻率誤差一樣,是以ppm或是以%為計(jì)量單位. 組件的頻率溫度特性曲線與石英的切割角度,振蕩模態(tài),表面處理及外型尺寸都有很大的關(guān)系.除此之外,振蕩線路上的負(fù)載電容(CL),驅(qū)動(dòng)功率(drive level)的特性,也會(huì)影響到振蕩線路輸出頻率的偏差對(duì)溫度變化的穩(wěn)定性.
(4)晶振的動(dòng)態(tài)電容( Motional Capacitance C1 )
晶振的動(dòng)態(tài)電感關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Motional Inductance L1 )在公式一中, ,動(dòng)態(tài)電容C1及動(dòng)態(tài)電感L1與串聯(lián)偕振頻率,fs ,是相互關(guān)聯(lián)的.在實(shí)際的量測(cè)系統(tǒng)中,我們只能測(cè)量到動(dòng)態(tài)電容C1及串聯(lián)協(xié)振頻率fs . 動(dòng)態(tài)電感L1是由公式
(5)晶振的靜態(tài)電容( Static Capacitance or Shunt Capacitance, Co )
靜態(tài)電容是以Co來(lái)表示,主要來(lái)自于以石英芯片為介電材料與兩個(gè)電極所形成的電容為主;另外一小部份的靜態(tài)電容來(lái)自連接石英芯片與接線的導(dǎo)電接著材料之間的電容和封裝外殼的電容.靜態(tài)電容是在遠(yuǎn)低于振蕩頻率的范圍量測(cè)出來(lái)的,以避免在受到振蕩頻率附近的動(dòng)態(tài)電容影響.公式(5)是靜態(tài)電容的數(shù)學(xué)表示式.
(6)石英晶振老化( AGING )
“老化”顧名思意就是指在某一段特定時(shí)間范圍內(nèi),石英晶體共振子隨時(shí)間的頻率變化,以百萬(wàn)分之一(parts per million, ppm )為表示的單位.老化在頻率與時(shí)間上的特性曲線,一般是呈現(xiàn)指數(shù)(exponential)型態(tài)的變化. 頻率老化變動(dòng)最大的期間是在石英頻率組件制成后的第一個(gè)月之后,頻率的變化就隨時(shí)間逐漸減少.頻率的老化特性有好幾個(gè)主要的因素影響.比如說(shuō),封裝的方法, 材料的種類, 制程溫度, 制程管控, 熱處理過(guò)程及產(chǎn)品的尺寸和頻率高低.在規(guī)格上大多都要定義出短期(1~3個(gè)月) 或長(zhǎng)期(1~10年)的頻率老化需求.
(7)石英晶振儲(chǔ)存溫度范圍( STORAGE TEMPERATURE RANGE )
除了在前面的工作環(huán)境溫度范圍之外,另一項(xiàng)與溫度有關(guān)的特性是”儲(chǔ)存溫度范圍(Storage Temperature Range)”. 這個(gè)參數(shù)指的是產(chǎn)品在靜態(tài)狀況下可以儲(chǔ)存的最高與最低溫度范圍. 在這個(gè)溫度范圍內(nèi), 產(chǎn)品必需保證在長(zhǎng)時(shí)期的儲(chǔ)存后, 還是可以在工作溫度范圍內(nèi)正常的工作并符合規(guī)格. 這項(xiàng)特性與石英 晶振共振子的組件設(shè)計(jì)及制程設(shè)計(jì)有很大關(guān)系, 要小心的定義.
以上介紹的是晶振主要特性和須知條件,在與客戶溝通過(guò)程中會(huì)問(wèn)到負(fù)載電容是多,兆級(jí)49S和49SMD貼片晶振負(fù)載電容一般為20PF,插件的表晶32.768K負(fù)載電容有6PF 8PF 10PF 12.5PF,還有一些進(jìn)口晶振貼片型頻率32.768K常用負(fù)載電容為12.5PF也有7PF和9PF.了解產(chǎn)品更多詳細(xì)參數(shù)可致電億金業(yè)務(wù)熱線0755-27876565為您提供最專業(yè)的解答
也可點(diǎn)擊阿里巴巴產(chǎn)品技術(shù)庫(kù):http://yijindz.cn.1688.com/
(1) 晶振的標(biāo)稱頻率與允許誤差關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別
使用正確的振蕩線路匹配下,從整個(gè)振蕩線路輸出的頻率,稱之為"標(biāo)稱頻率(nominal frequency". 標(biāo)稱頻率單位一般是以兆赫( megahertz, MHz) 或 仟赫(Kilohertz, KHz)表示.在實(shí)際的批量生產(chǎn)及振蕩線路應(yīng)用上, 產(chǎn)品在室溫環(huán)境(25oC)中都會(huì)有一些相對(duì)于標(biāo)稱頻率的頻率散布允許頻率的偏差. 這類型的頻率允許偏差的最大允許值,一般是以ppm ( parts per million )或%( percent ) 來(lái)表示.
(2) 晶振的負(fù)載電容 ( Load Capacitance, CL )
在大多數(shù)的情況下振蕩線路上的”負(fù)載電容(load capacitance)’定義為:從石英晶振的兩個(gè)端子看向振蕩線路所遭遇到的所有電容值.負(fù)載電容在線路上可以與石英晶振以并聯(lián)(parallel)或以串聯(lián)(series)的方示連接. 以并聯(lián)方式連接的振蕩線路中, 負(fù)載電容(CL)的大小會(huì)影響標(biāo)稱頻率的特性.這種負(fù)載電容并聯(lián)線路的共振頻率以fL表示
(3)晶振的頻率與溫度穩(wěn)定性關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Frequency-Temperature Stability )
石英晶振的頻率因溫度變化而改變, 這是因起于石英晶振的材料在各個(gè)坐標(biāo)軸向的熱膨脹系數(shù)不同, 當(dāng)溫度變化時(shí),各軸向晶格距產(chǎn)生些許變化.當(dāng)引用不同的切割角度時(shí),不同振蕩模態(tài)的之變化也會(huì)不同.晶振頻率的偏差對(duì)溫度穩(wěn)定性的特性, 亦如同公稱頻率誤差一樣,是以ppm或是以%為計(jì)量單位. 組件的頻率溫度特性曲線與石英的切割角度,振蕩模態(tài),表面處理及外型尺寸都有很大的關(guān)系.除此之外,振蕩線路上的負(fù)載電容(CL),驅(qū)動(dòng)功率(drive level)的特性,也會(huì)影響到振蕩線路輸出頻率的偏差對(duì)溫度變化的穩(wěn)定性.
(4)晶振的動(dòng)態(tài)電容( Motional Capacitance C1 )
晶振的動(dòng)態(tài)電感關(guān)聯(lián)關(guān)系和區(qū)別( Motional Inductance L1 )在公式一中, ,動(dòng)態(tài)電容C1及動(dòng)態(tài)電感L1與串聯(lián)偕振頻率,fs ,是相互關(guān)聯(lián)的.在實(shí)際的量測(cè)系統(tǒng)中,我們只能測(cè)量到動(dòng)態(tài)電容C1及串聯(lián)協(xié)振頻率fs . 動(dòng)態(tài)電感L1是由公式
(5)晶振的靜態(tài)電容( Static Capacitance or Shunt Capacitance, Co )
靜態(tài)電容是以Co來(lái)表示,主要來(lái)自于以石英芯片為介電材料與兩個(gè)電極所形成的電容為主;另外一小部份的靜態(tài)電容來(lái)自連接石英芯片與接線的導(dǎo)電接著材料之間的電容和封裝外殼的電容.靜態(tài)電容是在遠(yuǎn)低于振蕩頻率的范圍量測(cè)出來(lái)的,以避免在受到振蕩頻率附近的動(dòng)態(tài)電容影響.公式(5)是靜態(tài)電容的數(shù)學(xué)表示式.
(6)石英晶振老化( AGING )
“老化”顧名思意就是指在某一段特定時(shí)間范圍內(nèi),石英晶體共振子隨時(shí)間的頻率變化,以百萬(wàn)分之一(parts per million, ppm )為表示的單位.老化在頻率與時(shí)間上的特性曲線,一般是呈現(xiàn)指數(shù)(exponential)型態(tài)的變化. 頻率老化變動(dòng)最大的期間是在石英頻率組件制成后的第一個(gè)月之后,頻率的變化就隨時(shí)間逐漸減少.頻率的老化特性有好幾個(gè)主要的因素影響.比如說(shuō),封裝的方法, 材料的種類, 制程溫度, 制程管控, 熱處理過(guò)程及產(chǎn)品的尺寸和頻率高低.在規(guī)格上大多都要定義出短期(1~3個(gè)月) 或長(zhǎng)期(1~10年)的頻率老化需求.
(7)石英晶振儲(chǔ)存溫度范圍( STORAGE TEMPERATURE RANGE )
除了在前面的工作環(huán)境溫度范圍之外,另一項(xiàng)與溫度有關(guān)的特性是”儲(chǔ)存溫度范圍(Storage Temperature Range)”. 這個(gè)參數(shù)指的是產(chǎn)品在靜態(tài)狀況下可以儲(chǔ)存的最高與最低溫度范圍. 在這個(gè)溫度范圍內(nèi), 產(chǎn)品必需保證在長(zhǎng)時(shí)期的儲(chǔ)存后, 還是可以在工作溫度范圍內(nèi)正常的工作并符合規(guī)格. 這項(xiàng)特性與石英 晶振共振子的組件設(shè)計(jì)及制程設(shè)計(jì)有很大關(guān)系, 要小心的定義.
以上介紹的是晶振主要特性和須知條件,在與客戶溝通過(guò)程中會(huì)問(wèn)到負(fù)載電容是多,兆級(jí)49S和49SMD貼片晶振負(fù)載電容一般為20PF,插件的表晶32.768K負(fù)載電容有6PF 8PF 10PF 12.5PF,還有一些進(jìn)口晶振貼片型頻率32.768K常用負(fù)載電容為12.5PF也有7PF和9PF.了解產(chǎn)品更多詳細(xì)參數(shù)可致電億金業(yè)務(wù)熱線0755-27876565為您提供最專業(yè)的解答
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