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首頁晶振行業動態 STATEK晶體和晶體振蕩器產品的處理指南

STATEK晶體和晶體振蕩器產品的處理指南

來源：http://www.sdyoujian.cn 作者：億金電子 2022年06月07
介紹
TC-12.000MBD-T,TD-12.000MBD-T,TD-4.096MBD-T.為了保護和確保可焊性,Statek晶振建議將我們的標準產品儲存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
本文檔提供了在客戶所在地處理晶體或晶體振蕩器產品的指南。它涵蓋了從在客戶碼頭收到產品并存儲在客戶貨架上的產品處理，通過從裝運箱中取出、電路板焊接和分板/分割，以及在客戶的最終產品中安裝到客戶的電路板上。
7XZ-32.768KDA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBA-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
AU-26.000MBE-T TXC晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MBA-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7Z-38.400MBG-T TXC晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
6U-16.384MBE-T TXC晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
盡管本技術說明為所有晶體和晶體振蕩器設備提供了處理指南，但Statek晶體和晶體振蕩器的設計和制造堅固耐用，在遭受錯誤處理時應該優于行業中的平均晶體和晶體振蕩器。 
BF-125.000MBE-T TXC晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7W-25.000MBB-T TXC晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
所有晶體和晶體振蕩器的一般處理指南
晶體和振蕩器產品的設計和制造能夠承受一定的沖擊水平。這些級別在產品數據表的“規格”部分中進行了說明。由于處理或制造過程步驟而超過這些沖擊水平可能會導致設備的電氣特性發生變化和/或實際損壞。
AU-50.000MBE-T TXC晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
7X-38.400MBA-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
BB-125.000MBE-T TXC晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-24.576MBA-T TXC晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
為了保護和確保可焊性，Statek建議將我們的標準產品儲存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
一些客戶報告說，對晶體進行超聲波清洗會損壞晶體，或者在極端情況下會導致晶體破裂。這種損壞或破損可能發生在低頻和高頻晶體中。因此，我們建議客戶在對我們的設備進行超聲波清洗時要小心，并首先嘗試驗證這樣的清洗過程不會損壞設備。
7X-19.200MBA-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
BB-161.1328MBE-T TXC晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
如果使用自動組裝機或拾放機將零件從托盤或卷軸上放置到板上，建議調整機器臂的速度，并且機器正確對減速和設備高度進行編程，以免在放置零件時由于頭部的沖擊而損壞零件。使用柔軟或橡膠包覆的尖端也有助于消除對設備的任何損壞。
BB-150.000MBE-T TXC晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
7N-12.800MBP-T TXC晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
TC-3.6864MBD-T TXC晶振 TC MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC晶振 TC MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC晶振 TC MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 70MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC晶振 TD MEMS 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC晶振 TD MEMS 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC晶振 TD MEMS 19.2MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC晶振 TD MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC晶振 TD MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC晶振 TD MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 64MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC晶振 TD MEMS 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC晶振 TD MEMS 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC晶振 TD MEMS 7.3728MHz ±25ppm
7W-32.000MBB-T TXC晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
處理所有晶體和晶體振蕩器的印刷線路板
在電路板制造/焊接過程中，應盡量減少任何電路板剪切、彎曲、扭曲、振動或類似力，以降低損壞設備的風險。
7W-32.000MBB-T TXC晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
如果PC板面板包含超過一定數量的板（例如，25到30個板），則任何此類問題都可能會加劇。由于板填充過程引入到板的部分力被傳遞到板上的所有板，在每個板有大量板的情況下，累積振動效應轉移到板上的最后幾塊板可能被證明是過度的。
8W-24.000MBE-T TXC晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
TD-4.096MBD-T TXC晶振 TD MEMS 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC晶振 TD MEMS 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC晶振 TD MEMS 4.096MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 33MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 40MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC晶振 TD MEMS 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC晶振 TD MEMS 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC晶振 TD MEMS 49.152MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 4MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC晶振 TC MEMS 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC晶振 TC MEMS 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC晶振 TC MEMS 16.0972MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC晶振 TD MEMS 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC晶振 TD MEMS 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC晶振 TD MEMS 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC晶振 TC MEMS 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC晶振 TC MEMS 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC晶振 TC MEMS 24.576MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 12MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 20MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 12MHz ±25ppm

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